Intel 2006: Быстрее, меньше, холоднее…

Intel, с её многочисленными фабриками и колоссальными доходами, всегда славилась инженерами-технологами. "Тонкие" техпроцессы, новые материалы, усовершенствованные степпинги появлялись у неё и раньше, и быстрее, чем у конкурентов, и корпорация своим преимуществом активно пользовалась. Текущий год не стал исключением - и пока в AMD осторожно заявляют о начале поставок 65-нм процессоров в начале 2007 года, Intel демонстрирует сэмплы изготовленных по 45-нм технологическому процессу модулей SRAM, продаёт полный спектр 65-нм процессоров и сворачивает "устаревшее" 90-нм производство. Новый техпроцесс получил вполне привычное название - P1264 (до того использовался 90-нм P1262, а ещё раньше - 130-нм P1260), привычные производственные материалы и привычное производственное оборудование - ультрафиолетовые литографические инструменты на основе 193-нм лазеров. Даже в 90-нм P1262 разнообразных технологических новшеств было больше (что уж говорить о принципиально новом P1260) - однако в P1264 удалось обойтись без особых ухищрений, ограничившись лишь небольшими улучшениями и усовершенствованными фазосдвигающими масками. Среди улучшений - переход к использованию в качестве электропроводящего материала силицида никеля (NiSi) и слегка доработанная технология "напряжённого кремния", позволяющие снизить (в первом случае - за счёт уменьшения электрического сопротивления, а во втором - за счёт большего рабочего тока при тех же токах утечки) тепловыделение кристалла. А вот толщину изолирующего оксидного слоя в новом техпроцессе изменять, как это делалось раньше, не стали, сохранив её на уровне 1,2 нм. Кроме того, в кристалл, ранее насчитывавший семь слоёв, добавлен восьмой слой, позволяющий повысить плотность электрических контактов, скорость распространения электрических сигналов и снизить "межконтактную" ёмкость. Собрав эти "мелочи" вместе, технологам удалось совершить маленькое чудо: сохранив все преимущества "тонкого" технологического процесса, уменьшить токи утечки кристалла почти вчетверо!