По материалам IDF 2004 Russia: 65-нм технологический процесс — ближайшее будущее полупроводниковых технологий Intel

В рамках очередного российского Форума Intel для разработчиков, проводимого в Москве 19-20 октября, наряду с общей презентацией новых полупроводниковых технологий Intel был представлен отдельный технический доклад Джоша Волдена (Josh Walden) под названием «Технология Intel с разрешением 65 нанометров: воплощая закон Мура для ограниченного энергопотребления». Докладчик, руководитель лаборатории Fab24, расположенной в Лейкслип, Ирландия, ознакомил слушателей с текущим положением дел Intel в области полупроводниковых технологий и изложил планы корпорации на ближайшее будущее, которые включают в себя создание и выпуск в 2005 году микропроцессоров по 65-нм технологии, получившей свое воплощение уже сегодня в виде тестовых микросхем кэш-памяти (SRAM), насчитывающих более 0.5 млрд. транзисторов и производимых на 300-мм подложках. Ниже мы подробно изложим и проанализируем основные технические моменты, которые были представлены на этом докладе, а также сделаем краткий экскурс в ближайшее будущее полупроводниковых технологий корпорации.